Metal-Oksida-Semikonduktor Efek Meserta transistor (MOSFET) dibuat oleh oksidasi terkontrol dari Silikon. Memiliki Gerbang terisolasi, tegangan memilih Konduktivitas. Kemampuan mengubah konduktivitas dengan tegangan yg diterapkan, Untuk memperkuat atau beralih sinyal elektronik.
MOSFET diciptakan untuk mengatasi kerugian FET. Karena FET menawarkan ketahanan terhadap susukan yg tinggi, operasi lebih lambat serta impesertasi masukan sesertag. Sebaliknya, MOSFET mempunyai kapasitansi rendah serta impesertasi masukannya jauh lebih dari FET alasannya ialah arus bocor kecil.
Aplikasi dalam mengubah serta memperkuat sinyal alasannya ialah kemampuannya untuk mengubah konduktivitas dengan tegangan yg diberikan. Digunakan dalam Sirkuit Digital. Aplikasi tegangan mengakibatkan lebar susukan bervariasi. Lebar susukan yg lebih lebar menawarkan konduktivitas makin anggun dari perangkat.
JENIS MOSFET
Berbeda dengan FET Persimpangan. Depletion serta Enhancement MOSFET memakai meserta listrik yg dihasilkan oleh tegangan gerbang untuk mengubah fatwa pembawa muatan, elektron untuk N-channel atau lubang untuk P-channel, melalui susukan drainase semikonduktif.
Perangkat tiga terminal dengan Gate, Drain serta Source, serta MOSFET P-channel (PMOS) serta MOSFET N-channel (NMOS). Perbedaan dalam dua bentuk dasar:
➤ (DE) Depletion MOSFET
Saluran dibangun secara fisik serta tegangan sumber-gerbang diharapkan untuk mengganti perangkat "OFF".
➤ (E) Enhancement MOSFET
Tidak ada susukan yg dibuat sebelumnya. Tegangan yg diterapkan di gerbang diharapkan untuk menciptakan susukan untuk konduktansi.
Transistor membutuhkan tegangan Gate-Source, (VGS) untuk mengganti perangkat "ON". Setara dengan sakelar "Biasanya Terbuka".
Depletion-Mode MOSFET
Kurang umum dari tipe mode peningkatan ketika diaktifkan "ON" (melakukan) tanpa penerapan tegangan Bias Gerbang. Yaitu susukan melaksanakan ketika VGS = 0 mensokannya perangkat "Biasanya Tertutup".
N-channel Depletion, tegangan Sumber-Gerbang Negatif, -VGS akan menguras susukan konduktif elektron bebasnya beralih transistor "OFF".
P-channel Depletion, tegangan Gerbang-Sumber Positif, +VGS akan menguras susukan dari lubang bebas mengubahnya "OFF".
+VGS berarti lebih banyak elektron serta lebih banyak arus.
-VGS berarti lebih sedikit elektron serta lebih sedikit arus.
Berlaku untuk P-channel. Kemudian mode deplesi MOSFET setara dengan sakelar "Biasanya Tertutup".
Enhancement-Mode MOSFET
Lebih umum, kebalikan dari Mode Deplesi. Saluran konduksi doping ringan atau bahkan tidak terdoping sehingga tidak konduktif. Menghasilkan perangkat yg biasanya "OFF" (Non-Conduct) ketika tegangan Bias Gerbang, VGS = Nol.
Simbol Sirkuit peningkatan transistor MOS memakai susukan yg rusak untuk pertanda Saluran Non-Konduktif yg biasanya terbuka.
Potensi gerbang di atas nilai ambang mengakibatkan mengalirnya arus ID untuk mengalir. Kaprikornus ketika VGS kurang dari VGST maka kira-kira 0 mengalirkan arus serta ketika VGS lebih besar dari VGST maka perangkat AKTIF.
Amplifier MOSFET
Dapat dibuat Sirkuit Penguat “A” dengan Enhancement-Mode N-channel MOSFET serta populer. Amplifier Depletion-Mode MOSFET menyerupai dengan Amplifier JFET, kecuali MOSFET mempunyai impesertasi masukan yg jauh lebih tinggi.
Impesertasi Input yg tinggi dikendalikan oleh Gerbang Resistif Jaringan dibuat oleh R1 serta R2. Sinyal output untuk Enhancement-Mode Penguat MOSFET Common-Source terbalik alasannya ialah ketika VG rendah diaktifkan "OFF" serta VD (Vout) tinggi. Ketika VG tinggi transistor diaktifkan "ON" serta VD (Vout) rendah.
Bias DC dari rangkaian penguat MOSFET Common-Source (CS) hampir identik dengan Amplifier JFET. Sirkuit MOSFET Bias dalam Mode Kelas A oleh jaringan pembagi tegangan yg dibuat oleh resistor R1 serta R2. Resistensi masukan AC diberikan sebagai RIN = RG = 1MΩ.
Kemampuan MOSFET
Memiliki dua Fungsi Dasar:
➽ "Switching" (Elektronik Digital)
➽ "Amplifikasi" (Elektronik Analog)
Memiliki kemampuan untuk beroperasi dalam tiga wilayah:
1. Cut-off Region
- VGS<V threshold tegangan Gerbang-Sumber jauh lebih rendah dari pada tegangan transistor ambang sehingga transistor MOSFET diaktifkan "Sepenuhnya-OFF" sehingga, ID=0, transistor menyerupai Saklar Terbuka.
2. Linear (Ohmic) Region
- VGS>V threshold serta VDS<VGS transistor berada dalam wilayah resistansi konstan berperilaku sebagai tahanan yg dikontrol tegangan yg nilai resistifnya ditentukan oleh tegangan gerbang, level VGS.
3. Wilayah Saturasi
- VGS>V threshold transistor berada di wilayah konstan serta "Sepenuhnya-ON". ID Arus Pembuangan = Maksimum dengan transistor sebagai saklar tertutup.
Ringkasan MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Memiliki kendala gerbang masukan yg sangat tinggi dengan arus yg mengalir melalui susukan antara sumber serta susukan yg dikendalikan oleh tegangan gerbang.
Karena impesertasi input serta gain yg tinggi ini, MOSFET sanggup dengan gampang dirusak oleh listrik statis kalau tidak dilindungi atau ditangani dengan hati-hati.
MOSFET sangat ideal untuk dipakai sebagai sakelar elektronik atau sebagai penguat sumber umum alasannya ialah konsumsi dayanya sangat kecil. Aplikasi umum untuk Mikroprosesor, Memori, Kalkulator serta Logic CMOS Gates, dll.
Keuntungan
1. Kecepatan Operasional MOSFET lebih tinggi daripada JFET.
2. Impesertasi masukan jauh lebih tinggi ketimbang dengan JFET.
3. MOSFET dengan gampang dipakai dalam aplikasi ketika ini tinggi.
4. MOSFET menyediakan proses manufaktur yg mudah.
Kekurangan
1. MOSFET ialah perangkat yg rumit serta gampang dihancurkan.
2. Aplikasi yg berlebihan dari gerbang ke sumber tegangan VGS
dapat menghancurkan lapisan SiO2 yg tipis.
Peningkatan MOSFET lebih cocok dalam Perangkat Daya alasannya ialah Potensi Positif di Gerbang diharapkan untuk memulai konduksi perangkat. Tegangan gerbang yg diterapkan meningkatkan Konduktivitas Perangkat.
[ Avionics Knowledge ] - [ The Computer Networking ]
