Bjt Common Configuration

Tags

Bipolar Junction Transistor Perangkat semikonduktor yg sanggup dipakai untuk Switching atau AmplifikasiDioda, terbuat dari dua bab materi semikonduktor membentuk PN-Junction, Sifat serta Karakteristiknya.

Gabungan dua dioda menghasilkan tiga lapisan, dua persimpangan, tiga terminal membentuk basis Bipolar Junction Transistor, atau BJT. Tiga perangkat aktif dari materi semikonduktor yg berbeda yg sanggup bertindak baik sebagai isolator atau konduktor dengan penerapan tegangan sinyal kecil. 

Tipe Dasar konstruksi Transistor BIPOLAR,
 ➽  PNP - Material semikonduktor Tipe-P, Tipe-N serta Tipe-P 
 ➽  NPN - Material semikonduktor Tipe-N, Tipe-P serta Tipe-N 



Emitter (E), Base (B), Collector (C)

Kemampuan Transistor BIPOLAR
Memungkinkan dua fungsi dasar
 ➽  "Amplifikasi" (Elektronik Analog)
 ➽  "Beralih / Switching" (Elektronik Digital)

Beroperasi tiga wilayah berbeda:
 ➽  Wilayah Aktif
    - Transistor beroperasi sebagai penguat serta Ic = β * Ib
 ➽  Wilayah Saturasi
    - Tansistor "Sepenuhnya-ON" sebagai switch serta Ic = I (saturasi)
 ➽  Wilayah Cut-off
    - Transistor "Sepenuhnya-OFF" sebagai switch serta Ic = 0

Konfigurasi Transistor Bipolar

Perangkat tiga terminal, intinya ada tiga cara yg mungkin untuk menghubungkannya dalam sirkuit elektronik dengan satu terminal yg umum untuk kedua input serta output. 

Metode Koneksi merespon secara berbeda terhadap sinyal inputnya di dalam rangkaian alasannya yakni karakteristik statis transistor bervariasi dengan setiap pengaturan rangkaian.

Konfigurasi Common Base (CB)
 - Memiliki Penguatan Tegangan tetapi tidak ada Penguatan Arus.
Konfigurasi Common Emitter (CE)
 - Memiliki Penguatan Arus serta Tegangan.
Konfigurasi Common Collector (CC)
 - Memiliki Penguatan Arus tetapi tidak ada Penguatan Tegangan.

Konfigurasi Common Base (CB)

Konfigurasi Basis yg di-Ground, Koneksi BASE untuk sinyal input serta output. Sinyal input diterapkan antara basis transistor serta terminal emitor, sesertagkan sinyal output yg sesuai diambil dari Basis serta Kolektor.

Arus input yg mengalir ke emitor cukup besar alasannya yakni jumlah dari arus basis serta arus kolektor, keluaran arus kolektor lebih kecil dari input arus emitor yg menghasilkan kegunaan arus untuk rangkaian rangkaian "1". Konfigurasi Basis "Melemahkan" sinyal input.


Rangkaian penguat tegangan non-pembalik, di mana tegangan sinyal Vin serta Vout "In-Phase". Tengaturan transistor tidak umum alasannya yakni karakteristik Gain tegangan yg tinggi. Karakteristik masukan Forward Biased Diode, karakteristik output memperlihatkan dari  Illuminated Photo-Diode.

Memiliki rasio output yg tinggi terhadap resistansi masukan atau "Load" resistansi (RL) ke "Input" resistance (Rin) memberi nilai "Resistance Gain"


Konfigurasi Common Emitter (CE)

Konfigurasi Emitor di-Ground, Sinyal input diterapkan antara basis serta emitor, sementara output diambil dari antara Kolektor serta Emitor. Jenis konfigurasi yg paling umum dipakai untuk amplifier berbasis transistor serta yg mewakili metode "Normal" dari koneksi transistor bipolar.

Konfigurasi Penguat Emitor menghasilkan arus serta kekuatan tertinggi dari semua konfigurasi tiga transistor bipolar. Karena impesertasi input LOW terhubung ke PN-Junction Forward Biased, sesertagkan impesertasi output TINGGI alasannya yakni diambil dari PN-Junction Reverse Biased.


Arus mengalir keluar dari transistor harus sama dengan arus yg mengalir ke transistor sebagai arus emitor sebagai Ie = Ic + Ib.  Karena resistan beban (RL) dihubung secara seri dengan kolektor, Gain Arus konfigurasi transistor emitor cukup besar alasannya yakni rasio Ic / Ib. Keuntungan arus diberikan simbol Beta, (β).
Konfigurasi Common Collector (CC)

Konfigurasi Kolektor di-Ground, kolektor kini umum melalui suplai. Sinyal input terhubung pribadi ke basis, sementara output diambil dari beban emitor ibarat yg ditunjukkan. Jenis konfigurasi ini umumnya dikenal sebagai sirkuit Voltage Follower atau Emitter Follower.

Konfigurasi Pengikut Emitor, mempunyai kegunaan untuk aplikasi pencocokan impesertasi alasannya yakni impesertasi masukan yg sangat tinggi, di wilayah ratusan ribu Ohms sementara mempunyai impesertasi keluaran yg relatif rendah.


Konfigurasi Emitor mempunyai Gain Arus kurang lebih sama dengan nilai β dari transistor. Resistansi beban terletak secara seri dengan emitor sehingga arusnya sama dengan arus emitor. Karena arus emitor, kombinasi pengumpul serta campuran arus basis, resistan beban jenis konfigurasi mempunyai arus kolektor serta arus masukan dari basis yg mengalir melaluinya. Gain Rangkaian ARUS.

Jenis konfigurasi transistor bipolar, Rangkaian non-pembalik di mana tegangan sinyal Vin serta Vout yakni "In-Phase". Memiliki Gain tegangan yg kurang dari "1" (Kesatuan). Resistansi beban transistor kolektor mendapatkan arus basis serta kolektor menawarkan penguatan arus yg besar, menawarkan penguatan arus yg baik dengan sedikit penguatan tegangan.
.
Ringkasan Transistor Bipolar


Perilaku transistor bipolar dikonfigurasi berbeda serta karakteristik rangkaian yg berbeda berkaitan dengan impesertasi masukan, impesertasi keluaran serta perolehan penguatan tegangan, penguatan arus atau penguatan daya.



Hubungan antara transistor arus DC individu 
yg mengalir melalui setiap kaki serta arus DC

Karakteristik Konfigurasi Transistor





Artikel Terkait