Karakteristik Pnp Transistor

Transistor PNP Bipolar, Transistor Positif-Negatif-Positif. Lapisan material N-Negatif diantara dua Lapisan P-Positif. Tiga terminal Basis (B), Kolektor (C) serta Emitor (E) serta menghubungkan transistor ke papan sirkuit.

Perangkat yg dikontrol sejumlah kecil arus Basis dikendalikan baik Emitor serta arus Kolektor. Transistor PNP mempunyai dua Dioda Kristal. Sisi kiri sebagai Diode Emitor-Base serta sisi kanan Dioda Kolektor-Base.

Lubang ialah Pembawa lebih banyak didominasi Transistor PNP merupakan arus di dalamnya. Arus didalam transistor terbentuk sebab perubahan posisi lubang serta arah dari transistor sebab Aliran Elektron. Transistor PNP menyala saat arus kecil mengalir melalui Basis. Arah arus Transistor PNP dari Emitor ke Kolektor.

Polaritas Transistor PNP dibalik berarti "Tenggelam" arus ke Basis sebagai lawan dari Transistor NPN berarti "Sumber" melalui Basisnya. Perbedaan dua jenis transistor adalah Lubang Pembawa penting untuk Transistor PNP, sesertagkan Elektron ialah pembawa penting untuk Transistor NPN.

Transistor PNP memakai Arus Basis Kecil serta Tegangan Basis Negatif untuk mengendalikan Arus Emitor-Kolektor yg jauh lebih besar. Dengan kata lain, Emitter lebih Positif terhadap Basis sehubungan dengan Kolektor.

Transistor PNP mempunyai karakteristik sangat menyerupai dengan NPN Bipolar, kecuali Polaritas (Biasing) dari arah arus serta tegangan dibalik untuk salah satu dari tiga konfigurasi, Common Base, Common Emitter serta Kolektor Biasa.

Tegangan antara Base-Emitter (VBE), Negatif pada Base serta Positif pada Emitter untuk transistor PNP, Terminal Base selalu Bias Negatif terhadap Emitter. Juga Tegangan Suplai Emitor Positif sehubungan dengan Kolektor (VCE). Kaprikornus untuk transistor PNP untuk melaksanakan Emitter selalu lebih Positif sehubungan dengan Basis-kolektor.

Emitter terhubung ke tegangan suplai VCC dengan Resistor Beban, RL yg membatasi arus maksimum yg mengalir melalui perangkat yg terhubung ke terminal Kolektor. Basis tegangan VB yg Bias Negatif terhadap Emitter serta terhubung ke Resistor Basis RB, untuk membatasi Arus Basis Maksimum.

Untuk menjadikan Arus Base mengalir dalam transistor PNP, Base harus lebih Negatif daripada Emitter (Arus meninggalkan Basis) sekitar 0,7 volt (Silikon) atau 0,3 volt (Germanium). Rumus untuk menghitung Basis Resistor, Arus basis atau Arus Kolektor sama dengan Transistor NPN yg setara.

Perbedaan fundamental antara Transistor NPN serta Transistor PNP ialah Bias yg sempurna dari Persimpangan Transistor sebagai arah arus serta kutub tegangan selalu berlawanan satu sama lain. Kaprikornus untuk rangkaian di atas: Ic = Ie - Ib sebagai arus harus meninggalkan Base.

Saklar Semikonduktor

Transistor PNP sanggup menggantikan Transistor NPN di sebagian besar sirkuit elektronik, satu-satunya perbedaan ialah polaritas tegangan, serta arah pedoman arus. Transistor PNP pun sanggup dipakai sebagai Perangkat Switching.

Kurva Karakteristik Keluaran untuk transistor PNP terlihat sangat menyerupai dengan transistor NPN yg ekuivalen kecuali diputar 180o untuk memperhitungkan Tegangan Polaritas terbalik serta Arus, (Arus elektron mengalir keluar dari Basis serta kolektor ke arah baterai). Garis Beban dinamis yg sama sanggup ditarik ke Kkurva I-V untuk menemukan Titik Operasi Transistor PNP.

Transistor Matching

Memiliki Transistor PNP, saat banyak Transistor NPN tersedia sanggup dipakai sebagai Penguat atau Solid-State Switch. Memiliki dua jenis Transistor "PNP" serta "NPN", menso kegunaan saat merancang rangkaian penguat daya menyerupai "Penguat Kelas B".

Penguat Kelas-B memakai “Complementary” atau “Matched Pair” (PNP serta satu NPN terhubung bersama) dalam tahap Output atau Rangkaian Kontrol Motor H-Bridge, bila ingin mengontrol Aliran Arus secara merata melalui Motor di kedua arah pada waktu yg berbeda untuk gerakan Maju serta Mundur.

Sepasang Transistor NPN serta PNP sesuai dengan karakteristik identik satu sama lain disebut Transistor Complementary

  ➤  TIP3055 (NPN Transistor)

  ➤  TIP2955 (PNP Transistor)

Contoh Transistor Daya Silikon Komplementer atau pasangan yg cocok.

Kedua-duanya mempunyai Gain Arus DC, Beta (Ic/Ib) yg dicocokkan sampai 10% serta Arus Kolektor tinggi 15A, ideal untuk Kontrol Motor atau Aplikasi Robotik.

[  Knowledge | Pengetahuan  ]

[ Avionics Knowledge ]  -  [ The Computer Networking ]

Junction Field Effect Transistor (Jfet)

Transistor Efek Meserta Persimpangan (JUGFET / JFET) tidak mempunyai PN-Junction tetapi mempunyai belahan sempit materi Semikonduktor Resistivitas tinggi membentuk "Saluran" Tipe-N atau Silikon Tipe-P untuk pembawa secara umum dikuasai mengalir melalui dua koneksi Ohmik disebut Drain serta Sumber.

Dua konfigurasi dasar transistor imbas meserta junction

  ➤  N-channel JFET
Saluran N-channel JFET didoping dengan pengotor donor berarti anutan arus melalui Saluran Negatif (N-channel) dalam bentuk Elektron.

  ➤  P-channel JFET
Saluran P-channel JFET didoping dengan Impurities Akseptor berarti anutan arus melalui Saluran Positif (P-channel) dalam bentuk lubang.

(D)-Drain  (G)-Gate  (S)-Source

N-channel JFET mempunyai konduktivitas susukan yg lebih besar (Resistansi yg lebih rendah) daripada jenis susukan P yg setara, sebab elektron mempunyai mobilitas yg lebih tinggi melalui konduktor ketimbang dengan lubang. Membuat N-channel JFET menso konduktor yg lebih efisien ketimbang dengan P-channel.

N-channel JFET Biasing

PN-Junction mempunyai Bias Balik yg tinggi pada terminal Drain serta Reverse Bias yg lebih rendah pada terminal Source. Menyebabkan "Lapisan Deplesi" dibuat dalam Saluran serta lebarnya bertambah dengan Bias.

Arus yg mengalir melalui susukan antara Drain serta Source dikendali kan oleh tegangan yg diterapkan ke terminal Gate, yg merupakan Bias Balik. Dalam N-channel JFET, tegangan Gate Negatif sesertagkan untuk P-channel JFET, tegangan Gate Positif.

Diagram penampang memperlihatkan Saluran Tipe-N dengan kawasan Tipe-P yg disebut Gerbang yg terdifusi ke dalam Saluran Tipe-N yg membentuk suatu Persimpangan-PN Bias-Balik serta membentuk kawasan Deplesi sekitar area Gerbang ketika tidak ada tegangan eksternal yg diterapkan. JFET dikenal sebagai Perangkat Mode Penyusutan.

JFET Channel Pinched-Off

Tanpa tegangan Gerbang eksternal (VG = 0), serta tegangan kecil (VDS) yg diterapkan antara Drain serta Source, Arus saturasi maksimum (IDSS) akan mengalir melalui susukan dari Saluran ke Sumber yg dibatasi hanya oleh kawasan penipisan kecil di sekitar persimpangan.

Jika tegangan Negatif kecil (-VGS) diterapkan ke Gerbang ukuran wilayah penipisan mulai meningkat mengurangi keseluruhan area efektif susukan serta mengurangi arus yg mengalir melaluinya, semacam imbas “Peras” terso.

Karena Bias Terbalik, arus mengalir ke Gerbang. Ketika tegangan Gate (-VGS) lebih Negatif, lebar susukan menurun hingga tidak ada arus mengalir antara Drain serta Sumber serta FET dikatakan "Terjepit-Off" (wilayah Cut-Off untuk BJT). Tegangan di mana susukan menutup disebut "Pinch-Off Voltage" (VP).

Pinch-Off, tegangan Gerbang, VGS mengontrol arus susukan serta VDS mempunyai sedikit atau tanpa efek. Hasilnya FET bertindak lebih menyerupai resistor yg dikontrol tegangan yg mempunyai Resistansi nol ketika VGS = 0 serta maksimum "ON" Resistance (RDS) ketika tegangan Gate Negatif. Operasi normal, gerbang JFET selalu Bias Negatif Relatif terhadap sumbernya.

Karakteristik JFET

P-channel Junction Field Effect Transistor beroperasi sama dengan N-channel, dengan pengecualian
  ➽  Arus susukan kasatmata sebab lubang
  ➽  Polaritas tegangan bias harus dibalik
Karakteristik Output JFET N-channel (Gerbang kekerabatan singkat ke Sumber).

Menunjukkan empat wilayah operasi berbeda.
 ➽  Daerah Ohmic

      - Ketika VGS = 0 lapisan penipisan susukan sangat kecil serta JFET bertindak           seperti Resistor yg dikontrol tegangan.

 ➽  Cut-Off Region

      - Daerah Pinch-Off ialah tegangan Gate, VGS cukup untuk menyebabkan 
        JFET bertindak rangkaian terbuka sebagai Hambatan Saluran Maksimal.

 ➽  Saturasi atau Wilayah Aktif

      - JFET menso konduktor yg baik serta dikendalikan oleh tegangan
        Gerbang-Sumber, (VGS) sementara tegangan Sumber Pembuangan,
        (VDS) mempunyai sedikit atau tidak ada efek.

 ➽  Breakdown Region

      - Tegangan antara Drain serta Source, (VDS) cukup tinggi 
         untuk menyebabkan Saluran Resistivitas JFET memecah
         serta melewatkan arus maksimum.

Karakteristik Kurva P-channel sama, kecuali ID arus Pembuangan berkurang dengan meningkatnya tegangan Gate-Source Positif, VGS.

Arus Drain ialah nol ketika VGS = VP. Untuk operasi normal, VGS Bias berada antara VP serta 0. menghitung arus Drain, ID untuk setiap titik bias dalam kejenuhan atau wilayah aktif.

Drain Current pada Active Region

Nilai Arus Drain akan berada di antara Nol (Pinch-Off) serta IDSS (arus maksimum). 

Mengetahui Drain ID ketika ini serta tegangan Drain-Source VDS resistensi susukan (ID).

Drain-Source Channel Resistance

gm - "Keuntungan Transkonduktansi" JFET - perangkat yg dikontrol tegangan serta mewakili laju perubahan dari arus Drain sehubungan dengan perubahan tegangan Gerbang-Sumber.

Mode Field Effect Transistor

Menso Perangkat Tiga Terminal, Tiga Mode Operasi

yg berbeda serta dihubungkan dalam rangkaian konfigurasi.

Konfigurasi Common Source (CS)

(Mirip Common Emitor), Input diterapkan ke Gate serta outputnya diambil dari Drain menyerupai yg ditunjukkan. Mode Operasi FET umum sebab Impesertasi masukan yg tinggi serta Amplifikasi tegangan yg baik serta Penguat Common Source dipakai secara luas.

Moda sumber umum koneksi FET dipakai Penguat Frekuensi Audio serta dalam Pre-Amp Impesertasi masukan tinggi serta tahapan. Menso sirkuit menguatkan, Sinyal Output 180o "Out-of-Phase" dengan Input.

Konfigurasi Common Gate (CG)

(Mirip Common Base), Input diterapkan ke Sumber serta outputnya diambil dari Drain dengan Gerbang terhubung pribadi ke tanah (0v). Impesertasi input yg tinggi dari koneksi sebelumnya hilang dalam konfigurasi sebab gerbang mempunyai impesertasi masukan yg rendah, tetapi impesertasi output yg tinggi.

Jenis konfigurasi FET dipakai dalam Sirkuit Frekuensi Tinggi atau Rangkaian Pencocokan Impesertasi yg Impesertasi Input yg Rendah harus dicocokkan dengan Impesertasi Output yg Tinggi. Outputnya "In-Phase" dengan Input.

Konfigurasi Common Drain (CD)

(Mirip Common Collector), input diterapkan ke Gate serta outputnya diambil dari Sumber. Pengurasan umum atau konfigurasi “Follower Sumber” mempunyai Impesertasi Input yg tinggi serta Impesertasi Output yg rendah serta Gain tegangan Near-Unity, dipakai dalam Buffer Amplifier. 

Gain tegangan Konfigurasi pengikut sumber kurang dari satu, serta sinyal output ialah "In-Phase", 0o dengan Sinyal Input.

Jenis konfigurasi sebagai "Pengurasan Umum" sebab tidak ada sinyal yg tersedia di sambungan saluran, tegangan yg ada, + VDD hanya menawarkan bias. Output dalam fase dengan input.

Amplifier Field Effect Transistor

Seperti Transistor Bipolar, JFET dipakai untuk rangkaian Penguat Kelas-A tunggal dengan Penguat Sumber JFET serta Karakteristik sangat menyerupai dengan Rangkaian Emitor BJT. Keuntungan Amplifier JFET mempunyai lebih dari Amplifier BJT ialah Impesertasi Input Tinggi yg dikendalikan oleh jaringan Resistif Gerbang Biasing yg dibuat oleh R1 serta R2.

Rangkaian Penguat Sumber Umum (CS) Bias di Mode Kelas-"A" oleh jaringan pembagi tegangan oleh R1 serta R2. Tegangan Sumber Resistor RS diatur menso sekitar seperempat VDD, (VDD/4) berupa nilai yg masuk akal.

Tegangan Gerbang yg dibutuhkan sanggup dihitung dari Nilai-RS ini. Karena Gerbang ketika ini Nol, (IG = 0), kita sanggup meyesuaikan tegangan DC yg diharapkan dengan pemilihan Resistor R1 serta R2 yg tepat.

Kontrol Arus Drain oleh Potensial Gerbang Negatif menciptakan Junction Field Effect Transistor mempunyai kegunaan sebagai saklar serta penting tegangan Gerbang tidak pernah kasatmata untuk JFET Saluran-N sebab arus susukan akan mengalir ke Gerbang serta bukan Drain yg menimbulkan kerusakan pada JFET.

Aplikasi 
Junction Field Effect Transistor

  •  Low Noise serta High Input Impesertace Amplifier -

Kebisingan ialah gangguan yg tidak diinginkan yg mengganggu sinyal - semakin besar noise mengurangi informasi. Perangkat elektronik energi menimbulkan sejumlah gangguan. Jika FET dipakai di belahan depan, mendapat jumlah noise lebih sedikit pada output.

  •  Buffer Amplifier - Penguat Beredam Rendah -

Harus mempunyai impesertasi input yg sangat tinggi serta impesertasi output yg rendah. Karena impesertasi I/P yg tinggi serta impesertasi keluaran yg rendah, FET bertindak sebagai penguat buffer yg besar.

  •  Sumber Arus Konstan - Current Source -

Tegangan suplai di seluruh beban. Untuk meningkatkan beban yg berlebihan mendorong JFET ke wilayah aktif. bertindak sebagai sumber arus.

  •  Radio Frequency Amplifier -

JFET baik dalam operasi Sinyal Arus Rendah sebab merupakan perangkat semikonduktor yg dikendalikan tegangan. Memiliki tingkat kebisingan yg sangat rendah. Digunakan sebagai Penguat RF belahan Penerima Komunikasi.

  •  Saklar Analog atau Gerbang - Switch-

JFET sanggup dipakai sebagai saklar ON/OFF yg mengontrol daya listrik.

  •  Chopper - 

Ketika gelombang sumber diterapkan ke Gerbang JFET,

Operasi chopper sanggup dilakukan memakai JFET.

  •  Multiplexer -

Rangkaian multiplekser analog sanggup dibuat memakai JFET.

  •  Penguat Diferensial

  •  Voltage Controlled Resistor

Memilih JFET

Mencari JFET yg tepat, menyaring hasil dengan banyak sekali atribut

  •  Drain-to-Source Voltage (-30 V, 25 V, 30 V, ...)

  •  Tipe Saluran (Dual N-Channel

  •  N-Channel / P-Channel) atau Minimum Drain Current (-50 mA hingga 75 A)

[  Knowledge | Pengetahuan  ]

[ Avionics Knowledge ]  -  [ The Computer Networking ]

Metal Oxide Semiconductor Fet

Metal-Oksida-Semikonduktor Efek Meserta transistor (MOSFET) dibuat oleh oksidasi terkontrol dari Silikon. Memiliki Gerbang terisolasi, tegangan memilih Konduktivitas. Kemampuan mengubah konduktivitas dengan tegangan yg diterapkan, Untuk memperkuat atau beralih sinyal elektronik. 

MOSFET diciptakan untuk mengatasi kerugian FET. Karena FET menawarkan ketahanan terhadap susukan yg tinggi, operasi lebih lambat serta impesertasi masukan sesertag. Sebaliknya, MOSFET mempunyai kapasitansi rendah serta impesertasi masukannya jauh lebih dari FET alasannya ialah arus bocor kecil.

Aplikasi dalam mengubah serta memperkuat sinyal alasannya ialah kemampuannya untuk mengubah konduktivitas dengan tegangan yg diberikan. Digunakan dalam Sirkuit Digital. Aplikasi tegangan mengakibatkan lebar susukan bervariasi. Lebar susukan yg lebih lebar menawarkan konduktivitas makin anggun dari perangkat.

JENIS MOSFET

Berbeda dengan FET Persimpangan. Depletion serta Enhancement MOSFET memakai meserta listrik yg dihasilkan oleh tegangan gerbang untuk mengubah fatwa pembawa muatan, elektron untuk N-channel atau lubang untuk P-channel, melalui susukan drainase semikonduktif. 

Perangkat tiga terminal dengan Gate, Drain serta Source, serta MOSFET P-channel (PMOS) serta MOSFET N-channel (NMOS). Perbedaan dalam dua bentuk dasar:

 ➤  (DE) Depletion MOSFET
Saluran dibangun secara fisik serta tegangan sumber-gerbang diharapkan untuk mengganti perangkat "OFF".

Transistor membutuhkan tegangan Gate-Source, (VGS) untuk mengganti perangkat "OFF". Setara dengan sakelar “Biasanya Tertutup”.

 ➤  (E) Enhancement MOSFET
Tidak ada susukan yg dibuat sebelumnya. Tegangan yg diterapkan di gerbang diharapkan untuk menciptakan susukan untuk konduktansi.

Transistor membutuhkan tegangan Gate-Source, (VGS) untuk mengganti perangkat "ON". Setara dengan sakelar "Biasanya Terbuka".

Depletion-Mode MOSFET

Kurang umum dari tipe mode peningkatan ketika diaktifkan "ON" (melakukan) tanpa penerapan tegangan Bias Gerbang. Yaitu susukan melaksanakan ketika VGS = 0 mensokannya perangkat "Biasanya Tertutup".

N-channel Depletion, tegangan Sumber-Gerbang Negatif, -VGS akan menguras susukan konduktif elektron bebasnya beralih transistor "OFF".
P-channel Depletion, tegangan Gerbang-Sumber Positif, +VGS akan menguras susukan dari lubang bebas mengubahnya "OFF".

Mode Deplesi N-channel MOSFET
 +VGS berarti lebih banyak elektron serta lebih banyak arus.
 -VGS  berarti lebih sedikit elektron serta lebih sedikit arus.
Berlaku untuk P-channel. Kemudian mode deplesi MOSFET setara dengan sakelar "Biasanya Tertutup".

Enhancement-Mode MOSFET

Lebih umum, kebalikan dari Mode Deplesi. Saluran konduksi doping ringan atau bahkan tidak terdoping sehingga tidak konduktif. Menghasilkan perangkat yg biasanya "OFF" (Non-Conduct) ketika tegangan Bias Gerbang, VGS = Nol.

Simbol Sirkuit peningkatan transistor MOS memakai susukan yg rusak untuk pertanda Saluran Non-Konduktif yg biasanya terbuka.

Arus mengalir hanya akan mengalir ketika Tegangan Gerbang (VGS) diterapkan ke terminal gerbang lebih besar dari level ambang tegangan (VTH) di mana konduktansi terso sehingga menso perangkat transkonduktansi.

Potensi gerbang di atas nilai ambang mengakibatkan mengalirnya arus ID untuk mengalir. Kaprikornus ketika VGS kurang dari VGST maka kira-kira 0 mengalirkan arus serta ketika VGS lebih besar dari VGST maka perangkat AKTIF.

Amplifier MOSFET

Dapat dibuat Sirkuit Penguat “A” dengan Enhancement-Mode N-channel MOSFET serta populer. Amplifier Depletion-Mode MOSFET menyerupai dengan Amplifier JFET, kecuali MOSFET mempunyai impesertasi masukan yg jauh lebih tinggi.

Impesertasi Input yg tinggi dikendalikan oleh Gerbang Resistif Jaringan  dibuat oleh R1 serta R2. Sinyal output untuk Enhancement-Mode Penguat MOSFET Common-Source terbalik alasannya ialah ketika VG rendah diaktifkan "OFF" serta VD (Vout) tinggi. Ketika VG tinggi transistor diaktifkan "ON" serta VD (Vout) rendah.

Bias DC dari rangkaian penguat MOSFET Common-Source (CS) hampir identik dengan Amplifier JFET. Sirkuit MOSFET Bias dalam Mode Kelas A oleh jaringan pembagi tegangan yg dibuat oleh resistor R1 serta R2. Resistensi masukan AC diberikan sebagai RIN = RG = 1MΩ.

Kemampuan MOSFET

Memiliki dua Fungsi Dasar: 
 ➽  "Switching" (Elektronik Digital)
 ➽  "Amplifikasi" (Elektronik Analog)

Memiliki kemampuan untuk beroperasi dalam tiga wilayah:

1. Cut-off Region
 - VGS<V threshold tegangan Gerbang-Sumber jauh lebih rendah dari pada tegangan transistor ambang sehingga transistor MOSFET diaktifkan "Sepenuhnya-OFF" sehingga, ID=0, transistor menyerupai Saklar Terbuka.

2. Linear (Ohmic) Region
 - VGS>V threshold serta VDS<VGS transistor berada dalam wilayah resistansi konstan berperilaku sebagai tahanan yg dikontrol tegangan yg nilai resistifnya ditentukan oleh tegangan gerbang, level VGS.

3. Wilayah Saturasi
 - VGS>V threshold transistor berada di wilayah konstan serta "Sepenuhnya-ON". ID Arus Pembuangan = Maksimum dengan transistor sebagai saklar tertutup.

Ringkasan MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Memiliki kendala gerbang masukan yg sangat tinggi dengan arus yg mengalir melalui susukan antara sumber serta susukan yg dikendalikan oleh tegangan gerbang.

Karena impesertasi input serta gain yg tinggi ini, MOSFET sanggup dengan gampang dirusak oleh listrik statis kalau tidak dilindungi atau ditangani dengan hati-hati.

MOSFET sangat ideal untuk dipakai sebagai sakelar elektronik atau sebagai penguat sumber umum alasannya ialah konsumsi dayanya sangat kecil. Aplikasi umum untuk Mikroprosesor, Memori, Kalkulator serta Logic CMOS Gates, dll.

Keuntungan
1.  Kecepatan Operasional MOSFET lebih tinggi daripada JFET.
2.  Impesertasi masukan jauh lebih tinggi ketimbang dengan JFET.
3.  MOSFET dengan gampang dipakai dalam aplikasi ketika ini tinggi.
4.  MOSFET menyediakan proses manufaktur yg mudah.

Kekurangan
1.  MOSFET ialah perangkat yg rumit serta gampang dihancurkan.
2.  Aplikasi yg berlebihan dari gerbang ke sumber tegangan VGS
     dapat menghancurkan lapisan SiO2 yg tipis.

Peningkatan MOSFET lebih cocok dalam Perangkat Daya alasannya ialah Potensi Positif di Gerbang diharapkan untuk memulai konduksi perangkat. Tegangan gerbang yg diterapkan meningkatkan Konduktivitas Perangkat.

[  Knowledge | Pengetahuan  ]

[ Avionics Knowledge ]  -  [ The Computer Networking ]

Ic Op-Amp Dan Aplikasi

Operational Amplifier (Op-Amp), Dari Komponen Diskrit, yaitu Resistor, Kapasitor, Transistor. Rangkaian terintegrasi Op-Amp tersedia aneka macam jenis serta paket, sangat mengurangi jumlah komponen Rangkaian Diskrit. 

Produsen mengatakan amplifier BJT serta CMOS, serta pembanding, yg sanggup dimasukkan kedalam sistem memakai komponen eksternal minimum, semakin tinggi tingkat integrasi, semakin banyak kerumitan desain serta biaya berkurang. Op-Amp Surface Mounted, mengatakan pengurangan dalam ukuran sirkuit serta memungkinkan Perakitan Otomatis. 

Integrasi lebih lanjut menghasilkan Application Specific Integrated Circuits (ASICS), teknologi Op-Amp dikombinasikan dengan elemen sirkuit lain dalam IC tunggal untuk melakukan fungsi sirkuit tertentu aplikasi khusus.

LM-741

General Operational Amplifier

TEXAS INSTRUMENTS, Penguat tegangan, membalikkan Tegangan Input pada output, ditemukan dibanyak di Sirkuit Elektronik.  DATA SHEET

LM-741 Op-Amp mempunyai karakteristik, mendeteksi sinyal lemah serta gampang dikenali. Transfer yg ideal (output ± Vsat) serta output diubah oleh kenaikan Tegangan Input 2mV.

IR-Music-Transmitter-and-Reciever

TLC271 Programmable

Low-Power Operational Amplifier

TEXAS INSTRUMENTS, Op-Amp sanggup diprogram dalam paket 8pin DIL (Dual In Line), (jenis paket lain tersedia) mengatakan aneka macam mode konsumsi daya yg diprogram, Tingkat tegangan yg diterapkan ke pin bias.  DATA SHEET

Teknologi LinCMOSTM Silikon-Gerbang, mengatakan stabilitas tegangan offset jauh melebihi stabilitas dengan proses Gerbang-Logam Konvensional.

TLC271 Temperature Controlled Switch

Menggabungkan aneka macam nilai tegangan offset masukan dengan drift tegangan offset rendah serta impesertasi masukan yg tinggi. TLC271 mengatakan mode bias-pilih yg memungkinkan pengguna untuk menentukan kombinasi terbaik dari disipasi daya serta performa AC untuk aplikasi tertentu.

LM324 Low-Power

Quad-Operational Amplifiers

TEXAS INSTRUMENTS, Rangkaian terintegrasi Quad Op-Amp dengan Stabilitas tinggi, Bandwidth yg didesain untuk beroperasi dari catu daya tunggal melalui aneka macam tegangan.  DATA SHEET

Memiliki beberapa keunggulan berbeda atas penguat operasional standar dalam aplikasi pasokan tunggal. Paket in-line ganda 14-pin, berisi empat penguat operasional internal yg dikompensasi serta dua tahap.

LMC660N CMOS

Quad Operational Amplifier

TEXAS INSTRUMENTS, Menawarkan empat CMOS Operasional Amplifier Frekuensi Kompensasi Independen tinggi yg didesain khusus untuk beroperasi dari pasokan tunggal atau  antara +5V serta +15V.  DATA SHEET

Fitur Rel-to-Rail Output Swing di samping input kisaran mode-umum yg meliputi ground. Keterbatasan performa yg telah melanda penguat CMOS di masa kemudian tidak menso dilema dengan desain.

Radio Control Electronics

Masukan VOS, Drift serta Suara Broadband serta penguatan tegangan menso beban yg Realistis (2kR serta 600R) semuanya sama atau makin anggun daripada yg setara Bipolar yg diterima secara luas.

LM339
Quad Differential Comparator

TEXAS INSTRUMENTS, Komparator yg umum digunakan, didesain untuk dipakai dalam Deteksi tingkat rendah sens tingkat penginderaan serta aplikasi memori dalam aplikasi elektronik otomotif serta industri.  DATA SHEET

Memiliki empat komparator inbuilt, membandingkan dua level tegangan input serta mengatakan output digital untuk memperlihatkan yg lebih besar.

Komparator mempunyai karakteristik yg unik sebab kisaran tegangan input mode-umum termasuk tanah, terlepas dari fakta bahwa mereka beroperasi dari tegangan catu daya tunggal.

LM258N Low-Power

Dual Operational Amplifiers

TEXAS INSTRUMENTS, Digunakan dalam Amplifier Transduser, Blok Gain DC serta semua rangkaian op-amp konvensional sanggup lebih gampang diimplementasikan dalam sistem catu daya tunggal.  DATA SHEET

Dapat dipakai secara eksklusif dari tegangan catu daya + 5V standar yg dipakai sebagai penggalan dari Sistem Digital serta akan dengan gampang menyediakan antarmuka elektronik yg dibutuhkan tanpa memerlukan pasokan daya ekstra 15V ekstra.

CA3130 15MHz

Bi-MOS Operational Amplifier

RENESAS, Op-Amp yg membutuhkan Input arus yg sangat rendah. Outputnya akan berada dalam kondisi Nol dalam mode mati. CA3130 yaitu 15MHz BiMOS IC dengan input MOSFET serta output bipolar.  DATA SHEET

Transistor MOSFET dalam input yg mengatakan impesertasi masukan yg sangat tinggi. Arus input serendah 10pA. Menunjukkan berkecepatan performa yg sangat tinggi, menggabungkan kegunaan CMOS serta transistor BIPOLAR.

Kehadiran transistor PMOS pada input menghasilkan kapasitas input tegangan mode umum turun menso 0,5 volt di bawah rel negatif. Kaprikornus itu sangat ideal dalam aplikasi pasokan tunggal.

CA3140 4.5MHz

BiMOS Operational Amplifier

RENESAS, 4,5MHz BiMOS Op-Amp dengan input MOSFET serta output BIPOLAR. Memiliki kedua transistor PMOS serta BIPOLAR tegangan tinggi di dalamnya. Input mempunyai Gerbang yg dilindungi MOSFET (PMOS) yg menyediakan Impesertasi masukan yg sangat tinggi sekitar 1.5T Ohms.  DATA SHEET

Kebutuhan arus input sangat rendah sekitar 10pA. Menunjukkan respon yg sangat cepat serta berkecepatan performa yg tinggi. Output mempunyai santunan terhadap kerusakan dari pemutusan terminal beban. 

Input mempunyai PMOS FET yg membantu kemampuan input tegangan mode umum serendah 0,5 volt. Secara internal fase kompensasi untuk operasi yg stabil. Memiliki terminal untuk Frekuensi suplemen Roll Off serta Offset Nulling.

TL071 Low-Noise

JFET-Input Operational Amplifiers

TEXAS INSTRUMENTS, Op-Amp kebisingan rendah dengan Input JFET. Beroperasi dalam mode umum yg luas serta mengkonsumsi arus yg sangat sedikit. Membutuhkan Bias Input sangat rendah serta Arus Offset. DATA SHEET

Keluarannya - sirkuit pendek yg dilindungi, mempunyai laju perubahan tegangan yg sangat tinggi sebesar 13V/us serta memamerkan kerja bebas latch. 

LAProdusenOP-Protector

TL0 71 sangat ideal untuk rangkaian Fidelity sertaAudio Preamplifier yg tinggi. TL071 serta TL072 berisi satu Op-Amp didalam sesertagkan TL074 yaitu Quad Op-Amp dengan 4 Penguat Operasional di dalamnya.

TL082 Wide Bandwidth

Dual JFET Input Operational Amplifier

TEXAS INSTRUMENTS, Op-Amp Ganda dengan Input serta Output terpisah. Memiliki Input JFET serta Output BIPOLAR. Menunjukkan laju perubahan tegangan sangat tinggi, Bias input rendah. Juga mempunyai Arus Offset Rendah serta Tegangan Offset Rendah.  DATA SHEET

Inputnya bisa menso bias dengan arus input yg sangat rendah. Output dari IC yaitu sirkuit pendek yg dilindungi. TL082 memperlihatkan operasi bebas latch serta mempunyai kompensasi frekuensi internal.

Sine_Cosine Wave Oscillator

LM 311 High Speed, 30V

Differential Comparator With Strobes

TEXAS INSTRUMENTS, OPAMP tunggal yg bisa menggerakkan sirkuit DTL, RTL, TTL atau MOS. Outputnya sanggup beralih sampai 50 volt serta 50mA. Bekerja pada aneka macam tegangan suplai dari 5 sampai 30 volt serta hanya membutuhkan pasokan tunggal.  DATA SHEET

Secara eksklusif sanggup menggerakkan Relay, Solenoid dll jikalau persyaratan arus kurang dari 50mA. Koneksi pin LM311 berbeda dari Op-Amps lainnya.
 ➽  Pin 3 - Pembalik Input
 ➽  Pin 2 - Non-Inverting Input
Outputnya pun berbeda. Memiliki dua output. 
 ➽  Pin 7 - Output Positif yg arus tenggelam
 ➽  Pin 1 - Output Negatif.

LM311 CLOCK-TIMER

Pin 7 terhubung ke kolektor transistor output NPN. Pin1 membentuk emitor dari transistor output. Biasanya transistor output dalam keadaan mati serta kolektornya akan ditarik ke Vcc. 

Jika basisnya menerima lebih dari 0,7 volt, jenuh serta menyala. arus karam dikala ini serta beban menyala. Kaprikornus tidak menyerupai Op-Amps lain, LM311 arus karam serta output berubah menso rendah ketika dipicu.

LM747 Dual 
Operational Amplifier

TEXAS INSTRUMENTS, Penguat operasional ganda tujuan umum yg mengandung dua 741 Op-Amp. Dua penguat operasional mempunyai jaringan bias umum serta power supply lead.  DATA SHEET

Operasi sepenuhnya independen. Karakteristik Op-Amp tidak ada kait ketika rentang mode standar dilampaui, bebas dari osilasi. Paket Dual-in-Line 14-pin.

Cara menguji IC Op-Amp

Amplifier Operasional banyak dipakai dalam sirkuit elektronik sebagai amplifier, pembanding, pengikut tegangan, penjumlahan amplifier, dll. 

Sebagian Op-Amp umum dipakai menyerupai 741, TL071, CA3130, CA3140, memiliki konfigurasi Pin yg sama. Tester mempunyai kegunaan untuk menyidik kerja Op-Amp selama trouble shooting atau servis. Praktis untuk menciptakan alat penting di dingklik kerja seorang hobiis atau teknisi.

Tester dipasangkan di sekitar basis IC 8 pin di mana IC yg akan diuji sanggup disisipkan. Pin 2 (input pembalik dari IC) dihubungkan ke pembagi potensial R2, R3 yg mengatakan tegangan suplai setengah ke pin 2. 

Pin 3 (Tidak ada input pembalik) dari basis IC terhubung ke VCC melalui R1 serta Push to on switch. Output pin 6 dipakai untuk menghubungkan indikator visual LED melalui resistor R4 yg membatasi arus.

OP-AMP-TESTER

Desainnya yaitu komparator tegangan. Masukkan IC ke soket dengan orientasi yg benar. Takik di sisi kiri IC harus sesuai dengan takik di basis IC. Dalam mode komparator ini, output dari IC1 menso tinggi ketika pin 3 menerima tegangan lebih tinggi dari pin 2. pin 2 menerima pasokan 4,5 volt (baterai 9V) serta pin 3, 0 volt. Jadi karenanya tetap rendah serta LED akan gelap. 

Ketika S1 ditekan, pin 3 menerima tegangan lebih tinggi dari pin 2 serta output dari IC berubah tinggi menso menyalakan LED. Ini memperlihatkan bahwa sirkuit di dalam IC berfungsi.

[  Knowledge | Pengetahuan  ]

[ Avionics Knowledge ]  -  [ The Computer Networking ]